casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMN2025UFDB-7
codice articolo del costruttore | DMN2025UFDB-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN2025UFDB-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2025UFDB-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.3nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 486pF @ 10V |
Potenza - Max | 700mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-UDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | U-DFN2020-6 (Type B) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2025UFDB-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN2025UFDB-7-FT |
APTC60DHM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60HM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60HM45SCTG
Microsemi Corporation
APTC60HM45T1G
Microsemi Corporation
APTC60HM70BT3G
Microsemi Corporation
APTC60HM70T1G
Microsemi Corporation
APTC60HM70T3G
Microsemi Corporation
APTC60TAM21SCTPAG
Microsemi Corporation
APTC60VDAM24T3G
Microsemi Corporation
APTC60VDAM45T1G
Microsemi Corporation
XCS30XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
M2GL050T-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CGX110CF23I7N
Intel
5SGXEA5N2F40C1N
Intel
5SGXMA7K3F40C2N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
XC5VSX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5F23C7N
Intel
10AX066N4F40I3LG
Intel