casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN2020LSN-7
codice articolo del costruttore | DMN2020LSN-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN2020LSN-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2020LSN-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.9A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1149pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 610mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59-3 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2020LSN-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN2020LSN-7-FT |
DMP4065SQ-13
Diodes Incorporated
DMP510DL-13
Diodes Incorporated
DMP6350S-13
Diodes Incorporated
DMPH6250SQ-13
Diodes Incorporated
DMP10H4D2S-13
Diodes Incorporated
DMP10H4D2S-7
Diodes Incorporated
2N7002AQ-13
Diodes Incorporated
2N7002H-13
Diodes Incorporated
2N7002Q-7-F
Diodes Incorporated
BS870Q-7-F
Diodes Incorporated
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel