casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN10H220L-13
codice articolo del costruttore | DMN10H220L-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN10H220L-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN10H220L-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 1.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 401pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 1.3W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN10H220L-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN10H220L-13-FT |
DMG6968U-7
Diodes Incorporated
DMP3068L-7
Diodes Incorporated
DMN2300U-7
Diodes Incorporated
DMN24H11DS-7
Diodes Incorporated
DMG3406L-13
Diodes Incorporated
DMG2307L-7
Diodes Incorporated
DMN2004K-7
Diodes Incorporated
DMN63D1L-13
Diodes Incorporated
DMN3730U-7
Diodes Incorporated
ZXMN3A01FTA
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel