casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMN1019USN-13
codice articolo del costruttore | DMN1019USN-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMN1019USN-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN1019USN-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.3A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.2V, 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50.6nC @ 8V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2426pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 680mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-59 |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN1019USN-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMN1019USN-13-FT |
DMP3160L-7
Diodes Incorporated
DMP3165L-13
Diodes Incorporated
DMP4065S-13
Diodes Incorporated
DMP4065SQ-13
Diodes Incorporated
DMP510DL-13
Diodes Incorporated
DMP6350S-13
Diodes Incorporated
DMPH6250SQ-13
Diodes Incorporated
DMP10H4D2S-13
Diodes Incorporated
DMP10H4D2S-7
Diodes Incorporated
2N7002AQ-13
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel