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Diodes Incorporated DMN100-7-F

Numero parte MFG
DMN100-7-F
quantità disponibile
81480 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.205744
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMN100-7-F specificazioni

codice articolo del costruttore DMN100-7-F
Numero di parte futuro FT-DMN100-7-F
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN100-7-F Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.1A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 500mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SC-59-3
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN100-7-F Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMN100-7-F-FT

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