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Diodes Incorporated DMJ70H1D0SV3

Numero parte MFG
DMJ70H1D0SV3
quantità disponibile
54090 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.010344
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore DMJ70H1D0SV3
Numero di parte futuro FT-DMJ70H1D0SV3
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMJ70H1D0SV3 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 420pF @ 50V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251
Pacchetto / caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMJ70H1D0SV3 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMJ70H1D0SV3-FT

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