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Diodes Incorporated DMG9N65CTI

Numero parte MFG
DMG9N65CTI
quantità disponibile
28340 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.448
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Data di spedizione
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMG9N65CTI specificazioni

codice articolo del costruttore DMG9N65CTI
Numero di parte futuro FT-DMG9N65CTI
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMG9N65CTI Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2310pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 13W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG9N65CTI Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMG9N65CTI-FT

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