casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / DMG964H10R
codice articolo del costruttore | DMG964H10R |
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Numero di parte futuro | FT-DMG964H10R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG964H10R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms, 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms, 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini6-F3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG964H10R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG964H10R-FT |
NP0G3A300A
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NP0G3D100A
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