casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMG7702SFG-13
codice articolo del costruttore | DMG7702SFG-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DMG7702SFG-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG7702SFG-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 13.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.7nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4310pF @ 15V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Body) |
Dissipazione di potenza (max) | 890mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI3333-8 |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG7702SFG-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG7702SFG-13-FT |
DMT6016LPS-13
Diodes Incorporated
DMNH10H028SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMT6004LPS-13
Diodes Incorporated
DMTH4004SPS-13
Diodes Incorporated
DMTH6004SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMTH6009LPS-13
Diodes Incorporated
DMN2005UPS-13
Diodes Incorporated
DMNH10H028SPS-13
Diodes Incorporated
DMNH6008SPSQ-13
Diodes Incorporated
DMP2003UPS-13
Diodes Incorporated
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation