casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / DMG5802LFX-7
codice articolo del costruttore | DMG5802LFX-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMG5802LFX-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG5802LFX-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 24V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31.3nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1066.4pF @ 15V |
Potenza - Max | 980mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-VFDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | W-DFN5020-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG5802LFX-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG5802LFX-7-FT |
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