casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / DMG563020R
codice articolo del costruttore | DMG563020R |
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Numero di parte futuro | FT-DMG563020R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG563020R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini5-F3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG563020R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG563020R-FT |
DMC564030R
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XC6SLX75-2FGG484C
Xilinx Inc.
APA1000-FG896A
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-2N
Intel
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP20E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2U19A7N
Intel
10AX066K2F40E1SG
Intel
10AX115N1F40E1SG
Intel
10CL120ZF780I8G
Intel
EPF10K30AQC208-2
Intel