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Diodes Incorporated DMG4468LFG

Numero parte MFG
DMG4468LFG
quantità disponibile
57160 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMG4468LFG specificazioni

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Numero di parte futuro FT-DMG4468LFG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMG4468LFG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.62A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.85nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 867pF @ 10V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 990mW (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore U-DFN3030-8
Pacchetto / caso 8-PowerUDFN
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG4468LFG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMG4468LFG-FT

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