casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / DMG3415UFY4Q-7
codice articolo del costruttore | DMG3415UFY4Q-7 |
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Numero di parte futuro | FT-DMG3415UFY4Q-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMG3415UFY4Q-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 16V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 282pF @ 10V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 650mW (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | X2-DFN2015-3 |
Pacchetto / caso | 3-XDFN |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG3415UFY4Q-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMG3415UFY4Q-7-FT |
DMT10H025SSS-13
Diodes Incorporated
DMP3050LSS-13
Diodes Incorporated
ZXMN6A25N8TA
Diodes Incorporated
DMN3025LSS-13
Diodes Incorporated
DMT6016LSS-13
Diodes Incorporated
DMN4034SSS-13
Diodes Incorporated
DMP3085LSS-13
Diodes Incorporated
DMP2022LSS-13
Diodes Incorporated
DMP3037LSS-13
Diodes Incorporated
DMN6040SSS-13
Diodes Incorporated
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation