casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / DMC561040R
codice articolo del costruttore | DMC561040R |
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Numero di parte futuro | FT-DMC561040R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMC561040R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini5-F3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMC561040R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMC561040R-FT |
DMA566010R
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DMA566020R
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LCMXO640C-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
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XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC2S30-6VQG100C
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
A3P125-2PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SG
Intel