casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / DMA5610M0R
codice articolo del costruttore | DMA5610M0R |
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Numero di parte futuro | FT-DMA5610M0R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMA5610M0R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini5-F3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMA5610M0R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMA5610M0R-FT |
DMA564030R
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DMA564040R
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DMA564060R
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DMA564070R
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DMA566010R
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DMA566040R
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DMA566050R
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DMA566060R
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DMA964060R
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A3P125-1TQ144
Microsemi Corporation
EP20K100ETC144-2N
Intel
XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
5SEE9H40I2LN
Intel
EP2SGX60EF1152C5N
Intel
XC6VLX195T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
5AGXBB7D4F35C5N
Intel