casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / DMA5610H0R
codice articolo del costruttore | DMA5610H0R |
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Numero di parte futuro | FT-DMA5610H0R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMA5610H0R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini5-F3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMA5610H0R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMA5610H0R-FT |
DMA564020R
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XC5VLX330-2FF1760C
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Xilinx Inc.
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LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C2
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