casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / DMA261000R
codice articolo del costruttore | DMA261000R |
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Numero di parte futuro | FT-DMA261000R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMA261000R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74A, SOT-753 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini5-G3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMA261000R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMA261000R-FT |
UP04112G0L
Panasonic Electronic Components
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5SGXMA7N1F40C2LN
Intel
XC4020XL-09BG256C
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XC6VLX240T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC7K410T-1FBG900I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG676CES9937
Xilinx Inc.
APA075-TQ100I
Microsemi Corporation