casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DMA150E1600NA
codice articolo del costruttore | DMA150E1600NA |
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Numero di parte futuro | FT-DMA150E1600NA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMA150E1600NA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 150A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 150A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1600V |
Capacità @ Vr, F | 60pF @ 400V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMA150E1600NA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DMA150E1600NA-FT |
FR1002-TP
Micro Commercial Co
FR1003-AP
Micro Commercial Co
FR1003-TP
Micro Commercial Co
FR1004-AP
Micro Commercial Co
FR1004-TP
Micro Commercial Co
FR1005-AP
Micro Commercial Co
FR1005-TP
Micro Commercial Co
FR1006-AP
Micro Commercial Co
FR1006-TP
Micro Commercial Co
FR1007-AP
Micro Commercial Co
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel