codice articolo del costruttore | DLE30E |
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Numero di parte futuro | FT-DLE30E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DLE30E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DLE30E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DLE30E-FT |
NRVB140SFT3G
ON Semiconductor
NRVB2H100SFT3G
ON Semiconductor
NRVHP220SFT3G
ON Semiconductor
MBR140ESFT3G
ON Semiconductor
NRVB140SFT1G
ON Semiconductor
NTS245SFT3G
ON Semiconductor
MBR120ESFT1
ON Semiconductor
MBR120ESFT3
ON Semiconductor
MBR120LSFT1
ON Semiconductor
MBR120LSFT3
ON Semiconductor
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel