casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / DGTD65T60S2PT
codice articolo del costruttore | DGTD65T60S2PT |
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Numero di parte futuro | FT-DGTD65T60S2PT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DGTD65T60S2PT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 180A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 60A |
Potenza - Max | 428W |
Cambiare energia | 920µJ (on), 530µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 95nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 42ns/142ns |
Condizione di test | 400V, 60A, 7 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 205ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DGTD65T60S2PT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DGTD65T60S2PT-FT |
IHW50N65R5XKSA1
Infineon Technologies
IKW40N60DTPXKSA1
Infineon Technologies
IGW50N60TPXKSA1
Infineon Technologies
IKW50N60DTPXKSA1
Infineon Technologies
AUIRG4PC40S-E
Infineon Technologies
IKW50N65EH5XKSA1
Infineon Technologies
IKW50N65WR5XKSA1
Infineon Technologies
IHW25N120E1XKSA1
Infineon Technologies
IGW50N65H5FKSA1
Infineon Technologies
IKW30N65WR5XKSA1
Infineon Technologies
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C50U484I8
Intel
10M25SCE144A7G
Intel
EP4SGX530KH40C3ES
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
XC4020XL-2BG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
LFEC10E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel