casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / DGTD65T40S1PT
codice articolo del costruttore | DGTD65T40S1PT |
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Numero di parte futuro | FT-DGTD65T40S1PT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DGTD65T40S1PT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
Potenza - Max | 341W |
Cambiare energia | 1.15mJ (on), 350µJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 219nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 58ns/245ns |
Condizione di test | 400V, 40A, 7.9 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 145ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DGTD65T40S1PT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DGTD65T40S1PT-FT |
IGW40N60TPXKSA1
Infineon Technologies
IGW60N60H3FKSA1
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IHW30N65R5XKSA1
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IKW60N60H3FKSA1
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IGW40N65H5AXKSA1
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