casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / PMIC - Gate Driver / DGD2101MS8-13
codice articolo del costruttore | DGD2101MS8-13 |
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Numero di parte futuro | FT-DGD2101MS8-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DGD2101MS8-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione guidata | Half-Bridge |
Tipo di canale | Independent |
Numero di driver | 2 |
Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
Tensione - Fornitura | 10V ~ 20V |
Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) | 290mA, 600mA |
Tipo di input | Non-Inverting |
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) | 600V |
Rise / Fall Time (Typ) | 70ns, 35ns |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DGD2101MS8-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DGD2101MS8-13-FT |
IR2235JTRPBF
Infineon Technologies
IR2130JTRPBF
Infineon Technologies
IR2131JPBF
Infineon Technologies
IR2131JTRPBF
Infineon Technologies
IR2132JPBF
Infineon Technologies
IR2132JTRPBF
Infineon Technologies
IR2135JTRPBF
Infineon Technologies
IR21363JPBF
Infineon Technologies
IR21363JTRPBF
Infineon Technologies
IR2136JPBF
Infineon Technologies
A3PN020-1QNG68
Microsemi Corporation
XA3S1200E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
A3P125-2VQG100
Microsemi Corporation
EPF10K250EBI600-3
Intel
XC7K325T-2FFG900C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1TQG100
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35E2LG
Intel
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EPF8452AQC160-2
Intel