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codice articolo del costruttore | DFNA1002BT1 |
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Numero di parte futuro | FT-DFNA1002BT1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFN |
DFNA1002BT1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di circuito | Isolated |
Resistenza (ohm) | 10k |
Tolleranza | ±0.1% |
Numero di resistori | 4 |
Rapporto di resistenza del resistore | ±0.025% |
Resistore-Ratio-Drift | ±3 ppm/°C |
Numero di pin | 8 |
Potenza per elemento | 50mW |
Coefficiente di temperatura | ±25ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
applicazioni | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-VDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.035" (0.90mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFNA1002BT1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFNA1002BT1-FT |
4116R-2-203
Bourns Inc.
4116R-2-203LF
Bourns Inc.
4116R-2-220
Bourns Inc.
4116R-2-220LF
Bourns Inc.
4116R-2-221
Bourns Inc.
4116R-2-221LF
Bourns Inc.
4116R-2-222
Bourns Inc.
4116R-2-223
Bourns Inc.
4116R-2-223LF
Bourns Inc.
4116R-2-224
Bourns Inc.
A54SX32-2TQG144
Microsemi Corporation
XC7A75T-2FGG676C
Xilinx Inc.
A1020B-2PLG68C
Microsemi Corporation
10M08DFF484C7G
Intel
5SGSMD3E2H29C2L
Intel
A42MX24-PQG160A
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2AGX95EF29C6N
Intel