casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252012R-H-4R7M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252012R-H-4R7M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252012R-H-4R7M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012R |
DFE252012R-H-4R7M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.4A |
Corrente - Saturazione | 1.7A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 216 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012R-H-4R7M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252012R-H-4R7M=P2-FT |
LQG15WZ13NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ13NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N0S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N1C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N1S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2S02D
Murata Electronics North America
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel