casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252012R-H-4R7M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252012R-H-4R7M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252012R-H-4R7M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012R |
DFE252012R-H-4R7M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.4A |
Corrente - Saturazione | 1.7A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 216 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012R-H-4R7M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252012R-H-4R7M=P2-FT |
LQG15WZ13NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ13NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NJ02D
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LQG15WZ1N0C02D
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LQG15WZ1N0S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N1C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N1S02D
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LQG15WZ1N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2S02D
Murata Electronics North America
EX128-PTQ64
Microsemi Corporation
XA3S200-4TQG144I
Xilinx Inc.
LFXP3C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5N3F40C3N
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10CX150YF672I6G
Intel
AGLP060V2-CSG289
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LFEC33E-3FN484C
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EPF10K70RC240-4
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