casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252012R-H-2R2M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252012R-H-2R2M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252012R-H-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012R |
DFE252012R-H-2R2M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2A |
Corrente - Saturazione | 2.4A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012R-H-2R2M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252012R-H-2R2M=P2-FT |
LQG15WZ11NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ11NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ12NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ12NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ13NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ13NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NJ02D
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LQG15WZ1N0C02D
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LQG15WZ1N0S02D
Murata Electronics North America
LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
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M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-2XN
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