casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252012R-H-1R5M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252012R-H-1R5M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252012R-H-1R5M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012R |
DFE252012R-H-1R5M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.5A |
Corrente - Saturazione | 2.8A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 65 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012R-H-1R5M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252012R-H-1R5M=P2-FT |
LQG15WZ1N1S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N5C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N5S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N8C02D
Murata Electronics North America
XCS20XL-4TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC1E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQ100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT176C
Xilinx Inc.
10CL006YU256I7G
Intel
EP4CGX15BF14C7
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K100EQC240-1
Intel