casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252012R-H-1R5M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252012R-H-1R5M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252012R-H-1R5M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012R |
DFE252012R-H-1R5M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.5A |
Corrente - Saturazione | 2.8A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 65 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012R-H-1R5M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252012R-H-1R5M=P2-FT |
LQG15WZ1N1S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N5C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N5S02D
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LQG15WZ1N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6S02D
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LQG15WZ1N8C02D
Murata Electronics North America
XC3S250E-4CPG132I
Xilinx Inc.
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4013-5PQ208C
Xilinx Inc.
ICE40UL640-SWG16ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFI144-2X
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel