casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252012R-H-1R5M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252012R-H-1R5M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252012R-H-1R5M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012R |
DFE252012R-H-1R5M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1.5µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 2.5A |
Corrente - Saturazione | 2.8A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 65 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012R-H-1R5M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252012R-H-1R5M=P2-FT |
LQG15WZ1N1S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2S02D
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LQG15WZ1N3C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N3S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N5C02D
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LQG15WZ1N5S02D
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LQG15WZ1N6C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N6S02D
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LQG15WZ1N8C02D
Murata Electronics North America
XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
Xilinx Inc.
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
Intel
XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation