casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252012R-H-1R0M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252012R-H-1R0M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252012R-H-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012R |
DFE252012R-H-1R0M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.1A |
Corrente - Saturazione | 3.4A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 49 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012R-H-1R0M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252012R-H-1R0M=P2-FT |
LQG15WZ12NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ13NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ13NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N0S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N1C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N1S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2C02D
Murata Electronics North America
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel