casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / DFE252012R-H-1R0M=P2
codice articolo del costruttore | DFE252012R-H-1R0M=P2 |
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Numero di parte futuro | FT-DFE252012R-H-1R0M=P2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012R |
DFE252012R-H-1R0M=P2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Iron Powder |
Induttanza | 1µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 3.1A |
Corrente - Saturazione | 3.4A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 49 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.047" (1.20mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012R-H-1R0M=P2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFE252012R-H-1R0M=P2-FT |
LQG15WZ12NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ13NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ13NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NH02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ15NJ02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N0S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N1C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N1S02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N2C02D
Murata Electronics North America
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel