casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DFB20100F162
codice articolo del costruttore | DFB20100F162 |
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Numero di parte futuro | FT-DFB20100F162 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DFB20100F162 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, TS-6P |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-6P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFB20100F162 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DFB20100F162-FT |
GBPC3508
ON Semiconductor
GBPC1210
ON Semiconductor
GBPC2508
ON Semiconductor
GBPC25005
ON Semiconductor
GBPC1510
ON Semiconductor
GBPC1502
ON Semiconductor
GBPC3501
ON Semiconductor
GBPC1506
ON Semiconductor
GBPC2504
ON Semiconductor
GBPC1201
ON Semiconductor
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2LN
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
EP4SE530H35C3
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
M2GL090T-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35I5N
Intel