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codice articolo del costruttore | DF61657BN35FTV |
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Numero di parte futuro | FT-DF61657BN35FTV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H8® H8SX/1600 |
DF61657BN35FTV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | H8SX |
Dimensione del nucleo | 32-Bit |
Velocità | 35MHz |
Connettività | SCI, SmartCard |
periferiche | DMA, PWM, WDT |
Numero di I / O | 82 |
Dimensione della memoria del programma | 768KB (768K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 24K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 3V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 8x10b; D/A 2x8b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 75°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 120-TQFP |
120-TQFP (14x14) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF61657BN35FTV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF61657BN35FTV-FT |
D12322RVF25V
Renesas Electronics America
D12390F20V
Renesas Electronics America
DF2328BVF25WV
Renesas Electronics America
DF2329BVF25WV
Renesas Electronics America
DF2329BVF25V
Renesas Electronics America
HD6472655RFV
Renesas Electronics America
D12320VF25V
Renesas Electronics America
D12324SVF25V
Renesas Electronics America
DF2367VF33V
Renesas Electronics America
DF2638WF20JV
Renesas Electronics America
A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
A54SX72A-1FGG484I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
EP2S60F484C3
Intel
EP4CE10F17C7
Intel
EP3SL150F1152C3N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC4VLX15-10FFG676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation