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codice articolo del costruttore | DF61656N35FTV |
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Numero di parte futuro | FT-DF61656N35FTV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H8® H8SX/1600 |
DF61656N35FTV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | H8SX |
Dimensione del nucleo | 32-Bit |
Velocità | 35MHz |
Connettività | SCI, SmartCard |
periferiche | DMA, PWM, WDT |
Numero di I / O | 82 |
Dimensione della memoria del programma | 512KB (512K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 24K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 3V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 8x10b; D/A 2x8b |
Tipo di oscillatore | Internal |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 75°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 120-TQFP |
120-TQFP (14x14) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF61656N35FTV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF61656N35FTV-FT |
HD6417041ACF28V
Renesas Electronics America
D12322RVF25V
Renesas Electronics America
D12390F20V
Renesas Electronics America
DF2328BVF25WV
Renesas Electronics America
DF2329BVF25WV
Renesas Electronics America
DF2329BVF25V
Renesas Electronics America
HD6472655RFV
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D12320VF25V
Renesas Electronics America
D12324SVF25V
Renesas Electronics America
DF2367VF33V
Renesas Electronics America
A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
A54SX72A-1FGG484I
Microsemi Corporation
M7A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
EP2S60F484C3
Intel
EP4CE10F17C7
Intel
EP3SL150F1152C3N
Intel
EP3SL200F1152I4N
Intel
XC4VLX15-10FFG676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation