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codice articolo del costruttore | DF2117RVBG20V |
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Numero di parte futuro | FT-DF2117RVBG20V |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | H8® H8S/2100 |
DF2117RVBG20V Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Processore principale | H8S/2600 |
Dimensione del nucleo | 16-Bit |
Velocità | 20MHz |
Connettività | FIFO, I²C, LPC, SCI, SmartCard |
periferiche | POR, PWM, WDT |
Numero di I / O | 128 |
Dimensione della memoria del programma | 160KB (160K x 8) |
Programma tipo di memoria | FLASH |
Dimensione EEPROM | - |
Dimensione RAM | 8K x 8 |
Tensione - Alimentazione (Vcc / Vdd) | 3V ~ 3.6V |
Convertitori di dati | A/D 16x10b |
Tipo di oscillatore | External |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 75°C (TA) |
Pacchetto / caso | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 176-LFBGA |
176-LFBGA (13x13) | |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF2117RVBG20V Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF2117RVBG20V-FT |
R5F571MFGDLJ#20
Renesas Electronics America
R5F571MFHDLJ#20
Renesas Electronics America
R5F571MGGDLJ#20
Renesas Electronics America
R5F571MGHDLJ#20
Renesas Electronics America
R5F571MJGDLJ#20
Renesas Electronics America
R5F571MJHDLJ#20
Renesas Electronics America
R5F571MLGDLJ#20
Renesas Electronics America
UPD60510F1-HN4-M1-A
Renesas Electronics America
R7S910018CBG#AC0
Renesas Electronics America
R7S910002CBG#AC0
Renesas Electronics America
LCMXO1200C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-2FG676I
Xilinx Inc.
XC2S150-5FG456C
Xilinx Inc.
M2GL025-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation