casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DF02ST-G
codice articolo del costruttore | DF02ST-G |
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Numero di parte futuro | FT-DF02ST-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF02ST-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DFS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF02ST-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF02ST-G-FT |
KBU3504-G
Comchip Technology
KBU35005-G
Comchip Technology
KBU2510-G
Comchip Technology
KBU2504-G
Comchip Technology
KBU25005-G
Comchip Technology
KBU1010-G
Comchip Technology
KBU10005-G
Comchip Technology
KBPC5010-G
Comchip Technology
KBPC2510-G
Comchip Technology
KBPC2504-G
Comchip Technology
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel