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codice articolo del costruttore | DEBB33D102KA2B |
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Numero di parte futuro | FT-DEBB33D102KA2B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DEB |
DEBB33D102KA2B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Capacità | 1000pF |
Tolleranza | ±10% |
Tensione: nominale | 2000V (2kV) |
Coefficiente di temperatura | B |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C |
Caratteristiche | High Voltage |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Tasso di fallimento | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Disc |
Dimensione / Dimensione | 0.315" Dia (8.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.433" (11.00mm) |
Spessore (max) | - |
Lead Spacing | 0.197" (5.00mm) |
Stile di piombo | Formed Leads |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DEBB33D102KA2B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DEBB33D102KA2B-FT |
DEA1X3F101JB3B
Murata Electronics North America
DEA1X3F101JN3A
Murata Electronics North America
DEA1X3F121JB3B
Murata Electronics North America
DEA1X3F121JN3A
Murata Electronics North America
DEA1X3F151JB3B
Murata Electronics North America
DEA1X3F151JN3A
Murata Electronics North America
DEA1X3F181JB3B
Murata Electronics North America
DEA1X3F181JN3A
Murata Electronics North America
DEA1X3F221JA3B
Murata Electronics North America
DEA1X3F221JB3B
Murata Electronics North America
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40C4N
Intel
EP4CE15E22I7
Intel
5SGSED8N3F45C2L
Intel
EP4SE530H40C4
Intel
XC2VP40-5FF1148I
Xilinx Inc.
AX1000-2FG676I
Microsemi Corporation
A3P250-2FGG144I
Microsemi Corporation