casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTD123EU-7-F
codice articolo del costruttore | DDTD123EU-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTD123EU-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTD123EU-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 39 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTD123EU-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTD123EU-7-F-FT |
DDTA114WUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC114TUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA143TUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC143XUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTB122LU-7-F
Diodes Incorporated
DDTB142TU-7-F
Diodes Incorporated
DDTD143TU-7-F
Diodes Incorporated
DDTB123YU-7-F
Diodes Incorporated
DDTA143XUA-7-F
Diodes Incorporated
DDTC113ZUA-7-F
Diodes Incorporated
XC3S200A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
Intel
EP4S100G3F45I3
Intel
5SGXEB6R2F43C2N
Intel
XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel