casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTB114EC-7-F
codice articolo del costruttore | DDTB114EC-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTB114EC-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTB114EC-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB114EC-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTB114EC-7-F-FT |
DDTA142JE-7
Diodes Incorporated
DDTA142TE-7
Diodes Incorporated
DDTA143FE-7
Diodes Incorporated
DDTA143TE-7
Diodes Incorporated
DDTA143XE-7
Diodes Incorporated
DDTA143ZE-7
Diodes Incorporated
DDTA144EE-7
Diodes Incorporated
DDTA144GE-7
Diodes Incorporated
DDTA144TE-7
Diodes Incorporated
DDTA144VE-7
Diodes Incorporated
XC6SLX45T-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-3FG900C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5AF256I8N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1020I6N
Intel