casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTB113EU-7-F
codice articolo del costruttore | DDTB113EU-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTB113EU-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTB113EU-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB113EU-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTB113EU-7-F-FT |
DDTA114GKA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114TKA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114WKA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA114YKA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115EKA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115GKA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA115TKA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123EKA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123JKA-7-F
Diodes Incorporated
DDTA123TKA-7-F
Diodes Incorporated
A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA075-PQG208A
Microsemi Corporation
A42MX16-VQ100A
Microsemi Corporation
5SGXEA5K3F35C3N
Intel
XC6VSX315T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016AQC208-3N
Intel
5SGSMD4H2F35C1N
Intel