casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DDTB113EC-7-F
codice articolo del costruttore | DDTB113EC-7-F |
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Numero di parte futuro | FT-DDTB113EC-7-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTB113EC-7-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTB113EC-7-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DDTB113EC-7-F-FT |
DDTA122TE-7
Diodes Incorporated
DDTA122TE-7-F
Diodes Incorporated
DDTA142JE-7
Diodes Incorporated
DDTA142TE-7
Diodes Incorporated
DDTA143FE-7
Diodes Incorporated
DDTA143TE-7
Diodes Incorporated
DDTA143XE-7
Diodes Incorporated
DDTA143ZE-7
Diodes Incorporated
DDTA144EE-7
Diodes Incorporated
DDTA144GE-7
Diodes Incorporated
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
Intel
5SGSMD3E2H29I2N
Intel
10AX027H4F34E3SG
Intel
5SGXEB9R1H43C2N
Intel
LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel