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Infineon Technologies DD800S33K2CNOSA1

Name: DD800S33K2CNOSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: DD800S33K2CNOSA1
Price: 1084.432 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (575 reviews)

Numero parte MFG: DD800S33K2CNOSA1

quantità disponibile: 23870 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 1084.432

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: - IGBT MODULE VCES 1700V 800A

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Diodi - Raddrizzatori - Array

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: DD800S33K2CNOSA1.pdf

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DD800S33K2CNOSA1 specificazioni

codice articolo del costruttore	DD800S33K2CNOSA1
Numero di parte futuro	FT-DD800S33K2CNOSA1
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DD800S33K2CNOSA1 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Configurazione diodi	2 Independent
Diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	3300V
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo)	-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	3.5V @ 800A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	1100A @ 1800V
Temperatura operativa - Giunzione	-40°C ~ 125°C
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	A-IHV130-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DD800S33K2CNOSA1 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	DD800S33K2CNOSA1-FT

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