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Infineon Technologies DD800S17H4B2BOSA2

Numero parte MFG
DD800S17H4B2BOSA2
quantità disponibile
98210 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 671.36
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Data di spedizione
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
- IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Diodi - Raddrizzatori - Array
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
DD800S17H4B2BOSA2.pdf
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DD800S17H4B2BOSA2 specificazioni

codice articolo del costruttore DD800S17H4B2BOSA2
Numero di parte futuro FT-DD800S17H4B2BOSA2
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DD800S17H4B2BOSA2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Configurazione diodi 2 Independent
Diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1700V
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.1V @ 800A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 900A @ 900V
Temperatura operativa - Giunzione -40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore AG-IHMB130-1
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DD800S17H4B2BOSA2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DD800S17H4B2BOSA2-FT

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