casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DD500S65K3NOSA1
codice articolo del costruttore | DD500S65K3NOSA1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DD500S65K3NOSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DD500S65K3NOSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 6500V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.5V @ 500A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 730A @ 3600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | A-IHV130-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DD500S65K3NOSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DD500S65K3NOSA1-FT |
CD511625
Powerex Inc.
CDBD2020-G
Comchip Technology
CDBD2020-HF
Comchip Technology
CDBD2050-G
Comchip Technology
CDBD2050-HF
Comchip Technology
CDBD2080-G
Comchip Technology
CDBD2080-HF
Comchip Technology
CDD10810
Powerex Inc.
CDD11210
Powerex Inc.
CDST6-4448TI-G
Comchip Technology
M2GL005S-1VFG256T2
Microsemi Corporation
A54SX32A-1PQG208I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-3N
Intel
5SGSMD6N2F45C2LN
Intel
5SGXEA7H2F35C1
Intel
XC7K70T-1FB676I
Xilinx Inc.
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-1
Intel