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Infineon Technologies DD1200S17H4B2BOSA2
- Numero parte MFG
- DD1200S17H4B2BOSA2
- quantità disponibile
- 44480 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 761.552
- Il nostro prezzo
- Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci
- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- - DIODE MODULE 1200V 1200A
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Diodi - Raddrizzatori - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- DD1200S17H4B2BOSA2.pdf
DD1200S17H4B2BOSA2 specificazioni
| codice articolo del costruttore | DD1200S17H4B2BOSA2 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-DD1200S17H4B2BOSA2 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| DD1200S17H4B2BOSA2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Configurazione diodi | 2 Independent |
| Diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1700V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | - |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 1200A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1250A @ 900V |
| Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | AG-IHMB130-1 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DD1200S17H4B2BOSA2 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | DD1200S17H4B2BOSA2-FT |
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