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codice articolo del costruttore | DC630-822M |
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Numero di parte futuro | FT-DC630-822M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DC630 |
DC630-822M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 10A |
Corrente - Saturazione | 24A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 10kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.630" Dia (16.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.830" (21.08mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DC630-822M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DC630-822M-FT |
DC780-683K
API Delevan Inc.
DC780-684K
API Delevan Inc.
DC780-822L
API Delevan Inc.
DC780-823K
API Delevan Inc.
DC780-824K
API Delevan Inc.
DC780R-102L
API Delevan Inc.
DC780R-105K
API Delevan Inc.
DC780R-122L
API Delevan Inc.
DC780R-123K
API Delevan Inc.
DC780R-124K
API Delevan Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel