casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DBLS151G RDG
codice articolo del costruttore | DBLS151G RDG |
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Numero di parte futuro | FT-DBLS151G RDG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DBLS151G RDG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 50V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBLS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBLS151G RDG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DBLS151G RDG-FT |
GBPC5006 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC5008 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC5010 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC40005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC4001M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC4002M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC4004M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC4006M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC4008M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC4010M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel