casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DBLS106GHC1G
codice articolo del costruttore | DBLS106GHC1G |
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Numero di parte futuro | FT-DBLS106GHC1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DBLS106GHC1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBLS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBLS106GHC1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DBLS106GHC1G-FT |
GBPC50005 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC5001 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC5002 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC5004 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC5006 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC5008 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC5010 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC40005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC4001M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBPC4002M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel