casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DBL208GHC1G
codice articolo del costruttore | DBL208GHC1G |
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Numero di parte futuro | FT-DBL208GHC1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DBL208GHC1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 1200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL208GHC1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DBL208GHC1G-FT |
TSS4B04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10KL80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS6KL60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10KL100HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10KL60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10KL60HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10KL80HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10KL100 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
GBL06 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
D2SB80 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel