casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DBL203GHC1G
codice articolo del costruttore | DBL203GHC1G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DBL203GHC1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DBL203GHC1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 2A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL203GHC1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DBL203GHC1G-FT |
TSS4B04G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B01GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B03G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B03GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B03GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B04G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B04GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS10KL80 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZCSG81
Microsemi Corporation
A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
Intel
EP4SGX360NF45I4
Intel
A42MX16-1TQG176
Microsemi Corporation
EPF10K10AQI208-3
Intel