casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DBL157GHC1G
codice articolo del costruttore | DBL157GHC1G |
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Numero di parte futuro | FT-DBL157GHC1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DBL157GHC1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL157GHC1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DBL157GHC1G-FT |
RABS15MHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
RABS15MHRGG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B03G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B01G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B01G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B01GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B02G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B02G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B02GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSS4B04G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
EP2C5T144I8
Intel
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SFC256-1X
Intel
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
XC5VLX50-1FFG324CES
Xilinx Inc.
XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
AX500-FGG676I
Microsemi Corporation
EP4SE230F29C2
Intel