casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DBL151G C1G
codice articolo del costruttore | DBL151G C1G |
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Numero di parte futuro | FT-DBL151G C1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DBL151G C1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DBL |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBL151G C1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DBL151G C1G-FT |
DBLS207G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS208G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS208G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
DBLS209G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS104G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS105G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation
HDBLS107G RDG
Taiwan Semiconductor Corporation
RABS15M RGG
Taiwan Semiconductor Corporation
RABS15MHREG
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF8282ATC100-4
Intel
EP1M120F484C7
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
LFXP2-30E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9A6U19C7N
Intel
EP2S90F1508I4N
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EP2SGX30DF780I4
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EPF10K30AQI240-3
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5SGSMD3H2F35C2L
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