casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DB3X314K0L
codice articolo del costruttore | DB3X314K0L |
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Numero di parte futuro | FT-DB3X314K0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB3X314K0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 30mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 30mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 300nA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 1.5pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G3-B |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB3X314K0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB3X314K0L-FT |
UD0506T-TL-H
ON Semiconductor
CDBDSC51200-G
Comchip Technology
CDBDSC3650-G
Comchip Technology
CDBDSC5650-G
Comchip Technology
CDBDSC10650-G
Comchip Technology
CDBDSC8650-G
Comchip Technology
DLA10IM800UC
IXYS
DPG10IM300UC
IXYS
DSEP6-06AS
IXYS
DSEP6-06BS
IXYS
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel