casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DB2S31600L
codice articolo del costruttore | DB2S31600L |
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Numero di parte futuro | FT-DB2S31600L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB2S31600L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 800ps |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini2-F5-B |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2S31600L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DB2S31600L-FT |
RFUH20NS6STL
Rohm Semiconductor
RF1501NS3STL
Rohm Semiconductor
RFUS20NS6STL
Rohm Semiconductor
RFN10BM3STL
Rohm Semiconductor
RR601BM4STL
Rohm Semiconductor
RB075B40STL
Rohm Semiconductor
RB075BM40STL
Rohm Semiconductor
RB085BM-40TL
Rohm Semiconductor
RF301B2STL
Rohm Semiconductor
RF301BM2STL
Rohm Semiconductor
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
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EP3SL50F780C3
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EP20K100CQ240C7ES
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EP1SGX25DF1020C7N
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